[发明专利]半导体结构和其形成方法有效
| 申请号： | 201611255244.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017338B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;刘世昌;徐晨佑;沈桂弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露涉及一种半导体结构和其形成方法。本揭露提供一种半导体结构，其包括一第N金属层，在一晶体管区上方，其中N是一自然数；以及一底部电极，在所述第N金属层上方。所述底部电极包含一底部部分，具有一第一宽度并且位于一底部电极通路BEVA中，所述第一宽度在所述BEVA的一顶部表面测量；以及一上方部分，具有一第二宽度并且位于所述底部部分上方。所述半导体结构也包括一磁性穿隧结MTJ层，具有一第三宽度并且位于所述上方部分上方；一顶部电极，在所述MTJ层上方；以及一第(N+1)金属层，在所述顶部电极上方。所述第二宽度大于所述第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包含：一第N金属层，在一晶体管区上方，N是一自然数；一底部电极，在所述第N金属层上方，所述底部电极包含：一底部部分，具有一第一宽度并且位于一底部电极通路BEVA中，所述第一宽度沿所述BEVA的一顶部表面测量；以及一上方部分，具有一第二宽度并且位于所述底部部分上方；一磁性穿隧结MTJ层，具有一第三宽度并且位于所述上方部分上方；一顶部电极，在所述MTJ层上方；以及一第(N+1)金属层，在所述顶部电极上方，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。
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