[发明专利]神经元晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611235618.1 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258038B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种神经元晶体管结构及其制备方法，该结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的绝缘层；位于所述绝缘层上的碳纳米管栅阵列；位于所述碳纳米管栅阵列上的栅电位调制结构；位于所述栅电位调制结构之上的半导体沟道；以及分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述半导体沟道连接的源接触电极和漏接触电极。本发明的神经元晶体管结构，以二维半导体材料为沟道，以金属碳纳米管栅阵列作为多输入栅电极，可使沟道电荷更易控制，显著减小栅极尺寸，有利于解决集成电路中晶体管数目及互连线增多带来的诸多问题。 | ||
| 搜索关键词： | 神经元 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种神经元晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底之上；碳纳米管栅阵列，位于所述绝缘层上，包括阵列排布的多个作为栅电极的碳纳米管；栅电位调制结构，位于所述碳纳米管栅阵列上，由下至上依次包括第一介电层、电位调制层和第二介电层；半导体沟道，位于所述栅电位调制结构之上，采用二维半导体材料；源接触电极和漏接触电极，分别位于所述碳纳米管栅阵列两端，并分别与所述半导体沟道连接。
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