[发明专利]鳍片型场效应晶体管

摘要

本发明实施例提供一种鳍片型场效应晶体管。所述鳍片型场效应晶体管中的一个包含衬底、绝缘体、第一及第二栅极、开口、第一及第二介电层。所述衬底包含第一及第二半导体鳍片及其间的沟槽。所述绝缘体配置在所述沟槽中。所述第一及第二栅极分别配置在所述第一及第二半导体鳍片上。所述开口配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间。所述第一介电层配置在所述开口中以将所述第一及第二栅极电绝缘，且包含缝隙。所述第二介电层填充于所述缝隙中，其中所述开口在所述第一及第二栅极延伸的方向上具有第一宽度，所述缝隙在所述方向上具有第二宽度，且所述第一宽度与所述第二宽度的比率大于2。

主权项

一种鳍片型场效应晶体管，其特征在于包括：衬底，其包括第一半导体鳍片、第二半导体鳍片以及所述第一半导体鳍片与所述第二半导体鳍片之间的沟槽；绝缘体，其配置在所述沟槽中；第一栅极，其配置在所述第一半导体鳍片上；第二栅极，其配置在所述第二半导体鳍片上；开口，其配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间；第一介电层，其配置在所述开口中以将所述第一栅极与所述第二栅极电绝缘，其中所述第一介电层包括缝隙；以及第二介电层，其填充在所述缝隙中，其中所述开口在所述第一栅极及所述第二栅极延伸的方向上具有第一宽度，所述缝隙在所述方向上具有第二宽度，且所述第一宽度与所述第二宽度的比率大于2。