[发明专利]鳍片型场效应晶体管

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种鳍片型场效应晶体管。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)行业已经历快速发展。IC材料以及设计的技术进展已生产数代IC，其中每一代具有比前一代小且更复杂的电路。在IC演进过程中，一般来说，增加功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数目)，同时减小几何图形大小(即，可使用制造过程产生的最小组件(或线路))。此按比例缩小过程通常通过增加生产效率和降低相关联成本来提供益处。

此按比例缩小亦提高了加工及制造IC的复杂度，且对于这些待实现的进展，需要IC加工及制造的类似发展。举例来说，已经引入例如鳍片型场效应晶体管(fin-type field-effect transistor；FinFET)的三维晶体管以代替平面晶体管。尽管现有FinFET器件以及形成FinFET器件的方法已经充分满足其一般预期目的，但是他们并非在所有方面令人完全满意。

发明内容

根据本发明的实施例，鳍片型场效应晶体管包含衬底、绝缘体、第一栅极、第二栅极、开口、第一介电层以及第二介电层。所述衬底包含第一半导体鳍片、第二半导体鳍片以及第一半导体鳍片与第二半导体鳍片之间的沟槽。所述绝缘体配置在沟槽中。第一栅极配置在第一半导体鳍片上。第二栅极配置在第二半导体鳍片上。开口配置在第一栅极与第二栅极之间。第一介电层配置在开口中以将第一栅极与第二栅极电绝缘，其中第一介电层包含缝隙。第二介电层填充在缝隙中，其中所述开口在第一栅极及第二栅极沿其延伸的方向上具有第一宽度，所述缝隙在所述方向上具有第二宽度，且第一宽度与第二宽度的比率大于2。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下实施方式最好地理解本发明的各方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1说明根据本发明的一些实施例的制造FinFET的方法的流程图；

图2A至图2L为根据本发明的一些实施例的制造FinFET的方法的透视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本公开内容。当然，这些组件和布置仅为实例且并不希望为限制性的。例如，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各个实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简化及清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，例如“在……下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”及类似者的空间相对术语为易于描述可用于本文中，以描述如图中所说明的一个构件或特征与另一构件或特征的关系。除图式中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的器件的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或在其它定向处)，且本文中所使用的空间相关描述词同样地可相应地进行解释。

本发明的实施例描述FinFET的示例性制造方法。在本发明的某些实施例中，FinFET可形成于块状硅衬底上。又，作为替代方式，FinFET可形成于绝缘体上硅(SOI)衬底或绝缘体上锗(GOI)衬底上。并且，根据实施例，硅衬底可包含其它导电层或其它半导体元件，诸如晶体管、二极管等。在此情况下，实施例不受限制。