[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611221320.5 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107154432B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件，半导体器件包含隔离层、第一和第二鳍结构、栅极结构和源极/漏极结构。隔离绝缘层设置于衬底的上方。第一和第二鳍结构均设置于衬底的上方，并且沿平面图中的第一方向延伸。第一和第二鳍结构的上部暴露于隔离层。栅极结构设置于部分第一和第二鳍结构的上方，并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸。源极/漏极结构形成于第一和第二鳍结构的上部上，其没有被第一栅极结构覆盖且暴露于隔离层，且包裹每个露出的第一和第二鳍结构的侧面和顶面。孔洞形成于源极/栅极结构和隔离层之间。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包含Fin FET半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底的上方形成第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构沿平面图中的第一方向延伸,/n在所述衬底的上方形成隔离绝缘层，从而使得所述第一鳍结构和第二鳍结构的下部嵌入在所述隔离绝缘层并且所述第一鳍结构和第二鳍结构的上部暴露于所述隔离绝缘层；/n在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的部分的上方形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极图案、设置在所述栅极图案和所述第一鳍结构和第二鳍结构之间的介电层、设置在所述栅极图案上方的覆盖绝缘层，所述栅极结构在平面图中沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；/n在所述栅极结构的侧壁上形成栅极侧壁间隔件；/n凹进所述栅极侧壁间隔件的上部；/n在没有被所述栅极结构和所述栅极侧壁间隔件覆盖的所述第一鳍结构的上方形成第一源极/漏极结构，并且在没有被所述栅极结构和所述栅极侧壁间隔件覆盖的所述第二鳍结构的上方形成第二源极/漏极结构，其中：/n在凹进所述栅极侧壁间隔件的上部期间，也凹进没有被所述栅极结构覆盖的所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部，/n在形成所述第一源极/漏极结构中，所述第一源极/漏极结构形成于凹进的所述第一鳍结构和第二鳍结构的侧面和顶面上，以及/n合并所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构，从而在合并的所述第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构和所述隔离绝缘层之间形成孔洞。/n
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