[发明专利]一种GPP芯片电泳法制作工艺在审
| 申请号： | 201611218647.7 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106653600A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张波;宋委 | 申请（专利权）人： | 凤阳嘉禾农业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233100 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GPP芯片电泳法制作工艺，制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预淀积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片，选择制造材料采用N型直拉单晶硅，选择原始硅片厚度约270±10um，硅片清洗用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，清洗完成后使用烘干机使其表面洁净并烘干，磷预淀积选用P60纸质磷源，P60纸质磷源更适合GPP芯片的生产，硅片每两片中间放一张磷源纸。本发明采用的GPP芯片制造的全过程，从材料的选取到最后物体的制成全部涉及到，而使用电泳法对玻璃进行钝化使玻璃的附着面更广，使附着更加的均匀，提高了GPP芯片的质量，可以更好的进行信息的传导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gpp 芯片 电泳 法制 工艺 | ||
【主权项】：
一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预淀积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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