[发明专利]一种GPP芯片电泳法制作工艺

权利要求书

1.一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述制作工艺包括选择制造材料、硅片清洗、磷预淀积、硼扩散、双面喷砂去氧化层、钝化保护、玻璃钝化、漂洗和划片。

2.根据权利要求1所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述选择制造材料采用N型直拉单晶硅，选择原始硅片厚度约270±10um。

3.根据权利要求2所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述硅片清洗用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，清洗完成后使用烘干机使其表面洁净并烘干。

4.根据权利要求3所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述磷预淀积选用P60纸质磷源，所述P60纸质磷源更适合GPP芯片的生产，所述硅片每两片中间放一张磷源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中。

5.根据权利要求4所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述硼扩散硼源选用B40纸质硼源。

6.根据权利要求5所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述双面喷砂去氧化层，硅片经自来水清洗后，喷砂去除未附磷纸那一面的扩散层，同时减薄硅片去除约10um，用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，去除硅片表面的缺陷、金属杂质、可动离子和有机物，使其表面洁净并烘干。

7.根据权利要求6所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述钝化保护钝化液包括氧化氢、磷酸和去离子水，所述钝化液的配比为过氧化氢：磷酸：去离子水＝1：1：2-4；温度70℃±5℃，时间为40s-60s。

8.根据权利要求7所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述玻璃钝化包括以下步骤：

(1)乙二醇和醋酸纤维素作为悬浮媒介，所述乙二醇和醋酸纤维素的体积比为1:1。

(2)每100克悬浮液中加入2-4克玻璃粉，利用超声波进行超声4-5分钟，将超声过后的液体静置4-5分钟后将其倒入石英液槽内。

(3)按2.0-4.0g/L的比例加入28％的氨水。

(4)上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中，硅片和反电极的最佳距离是2厘米。

(5)悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子加以100-200V/cm场强，静置2-4分钟。

9.根据权利要求8所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述漂洗的漂洗液体为氟硼酸，用氟硼酸和水的混合液对芯片进行漂洗，漂洗时间为60-90s，用于去除表面的氧化层。

10.根据权利要求9所述的一种GPP芯片电泳法制作工艺，其特征在于：所述划片是将漂洗完成过后的芯片按照规定的形状进行划片处理，得到所需的芯片。