[发明专利]场发射器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201611218533.2 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108242466B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵德胜;黄宏娟;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种场发射器件，包括叠层设置的衬底和缓冲层；缓冲层上设置有发射极层，发射极层包括依次叠层设置的第一半导体层和第二半导体层；缓冲层上还设置有使发射极层嵌入其中的离子注入层，离子注入层具有一缺口，以使发射极层的发射端面从缺口处暴露出，发射端面包括相互邻接的至少部分第一半导体层的端面以及至少部分第二半导体层的端面；离子注入层的缺口处设置有集电极层，集电极层的端面与发射端面相对并且两者之间具有沟道；发射极层上还依次叠层设置有栅介质层和栅极。该场发射器件是一种具有横向结构、且具有纳米空气沟道的场发射器件，该场发射器件通过栅极实现了场发射器件的开关控制。本发明还提供了上述场发射器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611218533.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有治疗骨质疏松作用的组合物及其制备方法和应用
- 下一篇：药物组合物
- 同类专利
- 专利分类
