[发明专利]阵列基板、阵列基板制造方法及液晶显示屏

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括基板，依次形成所述基板表面的栅极、栅极绝缘层、沟道层、绝缘层及钝化层，所述栅极绝缘层上还设有构成沟道层的氧化物半导体层及与氧化物半导体层间隔设置的多个第一IPS电极；所述绝缘层覆盖所述氧化物半导体层及多个第一IPS电极，所述钝化层覆盖所述沟道层并形成有沟槽，所述沟槽位于每个第一IPS电极一侧间并延伸至所述栅极绝缘层上；所述钝化层上形成与第一IPS电极对应的第二IPS电极，所述第二IPS电极与所述第一IPS电极连接。本发明还提供一种液晶显示屏。

主权项

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括在基板依次形成栅极、栅极绝缘层及氧化物半导体层；其中，氧化物半导体层包括与所述栅极相对的第一氧化物半导体部分、连接于所述第一氧化物半导体部分两侧的第二氧化物半导体部分以及与所述第二氧化物半导体部分间隔设置的多个第三氧化物半导体部分；于所述基板背向所述栅极的表面方通过紫外线光照所述氧化物半导体层，使所述第二氧化物半导体部分及多个所述第三氧化物半导体部分分别变成第二导体部分及多个第三导体部分，其中，所述多个第三导体部分分为第一IPS电极及公共电极；在所述第一氧化物半导体部分、第二导体部分、第一IPS电极及公共电极上形成绝缘层并在绝缘层上形成源极及漏极，所述源极及漏极与所述第一氧化物半导体部分形成的沟道层构成半导体器件；在所述源极、漏极、沟道层及绝缘层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔及沟槽，所述沟槽位于每个第一IPS电极一侧并延伸至所述栅极绝缘层上，所述过孔连通所述第一IPS电极；在所述钝化层上形成与所述第一IPS电极对应的第二IPS电极，且所述第二IPS电极通过所述过孔与第一IPS电极连接。