[发明专利]QLED及其制备方法有效
| 申请号： | 201611208915.7 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784205B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘佳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED，包括依次设置的衬底、阳极、空穴传输层、钝化量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述钝化量子点发光层由钝化量子点制成，所述钝化量子点为采用碘进行表面钝化处理后的量子点。所述QLED的制备方法，包括以下步骤：提供图案化阳极基板和I | ||
| 搜索关键词： | qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED，其特征在于，包括依次设置的衬底、阳极、空穴传输层、钝化量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述钝化量子点发光层的材料为钝化量子点，所述钝化量子点为采用碘进行表面钝化处理后的量子点，且所述钝化量子点发光层采用下述方法制备获得：/n在加热条件下，在量子点发光薄膜上沉积I
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