[发明专利]QLED及其制备方法

说明书

本发明提供了一种QLED，包括依次设置的衬底、阳极、空穴传输层、钝化量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述钝化量子点发光层由钝化量子点制成，所述钝化量子点为采用碘进行表面钝化处理后的量子点。所述QLED的制备方法，包括以下步骤：提供图案化阳极基板和I₂醇溶液；在所述图案化阳极基板上制备空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光薄膜；加热条件下，在所述量子点发光薄膜上沉积所述I₂醇溶液，蒸干后得到钝化量子点发光层；在所述钝化量子点发光层上依次沉积电子传输层和阴极。

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种QLED及其制备方法。

背景技术

半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质，被广泛应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记领域。经过二十多年的发展，量子点合成技术取得了显著的成绩，可以合成得到各种高质量的量子点纳米材料，其光致发光效率可以达到85％以上。由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。经过多年的发展，QLED技术获得了巨大的发展。从公开报道的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿QLED的内量子效率实际上已经接近100％的极限。然而，作为高性能全彩显示不可或缺的蓝色QLED，目前不论是在电光转换效率、还是在使用寿命上，都远低于红绿QLED，从而限制了QLED在全彩显示方面的应用。

量子点具有很大的比表面积，在合成过程中容易造成大量的表面缺陷，包括悬挂键、元素空位等。在量子点发光过程中，来自于正负极的电子空穴移动到量子点表面时，由于量子点表面大量的缺陷会使得电子空穴被捕获，限制了其复合发光，降低发光效率。因此，钝化、减少量子点表面的缺陷对提高其发光效率有着重要的作用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED及其制备方法，旨在解决现有QLED中，量子点表面缺陷导致QLED器件发光效率低的问题。

本发明是这样实现的，一种QLED，包括依次设置的衬底、阳极、空穴传输层、钝化量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述钝化量子点发光层由钝化量子点制成，所述钝化量子点为采用碘进行表面钝化处理后的量子点。

以及，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供图案化阳极基板和I₂醇溶液；

在所述图案化阳极基板上制备空穴传输层；

在所述空穴传输层上沉积量子点发光薄膜；

加热条件下，在所述量子点发光薄膜上沉积所述I₂醇溶液，蒸干后得到钝化量子点发光层；

在所述钝化量子点发光层上依次沉积电子传输层和阴极。

本发明提供的QLED，采用碘对量子点进行表面钝化处理，所述碘可以取代量子点表面的悬挂键或者补充其空位，从而钝化量子点表面缺陷。由此得到的钝化量子点发光层可以减少表面缺陷，进而减少对电子空穴的捕获，从而增加有效复合效率，提高QLED器件效率。

本发明提供的QLED的制备方法，在量子点薄膜表面沉积一层I₂醇溶液作为钝化层，通过加热处理，使得I^-可以取代其表面悬挂键或者补充其空位，从而达到钝化量子点表面缺陷的目的，进而减少对电子空穴的捕获，从而增加有效复合效率，提高QLED器件效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的QLED的结构示意图。

具体实施方式