[发明专利]具有自绝缘单元的电子结构元件有效

专利信息
申请号: 201611201539.9 申请日: 2016-09-01
公开(公告)号: CN106531695B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: S·施魏格尔;J·肯特纳 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L21/762
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于电子结构元件(200)的有缺陷单元(210)的绝缘的方法,该方法具有以下步骤:在半导体衬底(280)上产生(100)单元(210);在所述单元(210)与至少两个连接端(220,230)之间产生(110)电连接;将聚合物层施加(120)到所述电子结构元件(200)上;将测量电压施加(150)到所述至少两个连接端(220,230)上,使得在有缺陷单元(210)中由于在所述有缺陷单元(210)的区域中的聚合物层的分解使所述电连接中的至少一个露出;选择性地蚀刻(160)所露出的电连接;移除(170)所述聚合物层。
搜索关键词: 具有 绝缘 单元 电子 结构 元件
【主权项】:
一种用于电子结构元件(200)的有缺陷单元(210)的绝缘的方法,该方法具有以下步骤:在半导体衬底(280)上产生(100)单元(210);在所述单元(210)与至少两个连接端(220,230)之间产生(110)电连接;将聚合物层施加(120)到所述电子结构元件(200)上;将测量电压施加(150)到所述至少两个连接端(220,230)上,使得在单元(210)有缺陷的情况下通过所述有缺陷单元(210)的区域中的聚合物层的分解使所述电连接中的至少一个露出;选择性地蚀刻(160)所露出的电连接;移除(170)所述聚合物层。
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