[发明专利]形成图案的方法

摘要

本发明公开一种形成图案的方法，可解决不同图案密度的区域于自对准双倍图案(self‑aligned‑doubled patterning,SADP)制作工艺中产生的负载效应而导致的问题，主要于第二材料层厚度较薄的区域上额外形成一第三材料层，以于回蚀刻制作工艺中作为第二材料层的回蚀刻缓冲层，可减少第二材料层厚度较薄的区域于该回蚀刻制作工艺中的移除量。

主权项

1.一种图案化方法，包括:提供一基底，包含相邻的一阵列区以及一周边区；在基底上形成一硬掩模层；在该硬掩模层上形成一第一材料层；图案化该第一材料层，在该阵列区形成多条第一材料结构，并完全移除该周边区的该第一材材料层；形成一牺牲层，至少覆盖各该第一材料结构的侧壁；形成一第二材料层，完全覆盖该阵列区以及该周边区；在该周边区的该第二材料层上形成一第三材料层；进行一回蚀刻制作工艺，以移除该阵列区的部分该第二材料层直至暴露出该牺牲层，以及移除至少部分该周边区的该第三材料层；移除该暴露的牺牲层，形成多条位于该第二材料层与该第一材料结构之间的间隙；以及自该多条间隙蚀刻该硬掩模层，图案化该阵列区的该硬掩模层。