[发明专利]形成图案的方法

权利要求书

1.一种图案化方法，包括:

提供一基底，包含相邻的一阵列区以及一周边区；

在基底上形成一硬掩模层；在该硬掩模层上形成一第一材料层；

图案化该第一材料层，在该阵列区形成多条第一材料结构，其中该周边区的该硬掩模层仍完全被该第一材料层覆盖；

形成一牺牲层，至少覆盖各该第一材料结构以及该第一材料层的侧壁；

形成一第二材料层，完全覆盖该阵列区以及该周边区；

在该阵列区的该第二材料层形成一第三材料层；

进行一回蚀刻制作工艺，以完全移除该阵列区的该第三材料层并移除部分该阵列区以及该周边区的该第二材料层直至暴露出该牺牲层；

移除该暴露的牺牲层，形成多条位于该第二材料层与该第一材料结构之间的第一间隙，以及一沿着该阵列区以及该周边区交界处的第二间隙；以及

自该多条第一间隙以及该第二间隙蚀刻该硬掩模层，图案化该阵列区的该硬掩模层。

2.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第三材料层的边缘是位于邻近该阵列区以及该周边区交界处的该第一材料层的正上方。

3.如权利要求1所述的图案化方法，其中该回蚀刻制作工艺后，另包含一预清洗步骤(de scum)，以确保暴露出该周边区的该第一材料层的侧壁上的该牺牲层。

4.如权利要求1所述的图案化方法，其中该牺牲层还覆盖各该第一材料结构以及该第一材料层的顶面。

5.如权利要求4所述的图案化方法，其中覆盖各该第一材料结构以及该第一材料层的顶面的牺牲层于该回蚀刻制作工艺后完全暴露出来。

6.如权利要求1所述的图案化方法，其中图案化该阵列区的该硬掩模层后，另包含一清洗步骤，以移除该第一材料结构、该第一材料层和该第二材料层。

7.如权利要求1所述的图案化方法，其中该牺牲层包含氧化硅。

8.如权利要求6所述的图案化方法，其中该第一材料层与该第二材料层包含有机介电层(organic dielectric layer,ODL)，该第三材料层包含光致抗蚀剂材料。

9.如权利要求1所述的图案化方法，其中该回蚀刻制作工艺中，该周边区的该第二材料层的移除量大于该阵列区的该第二材料层的移除量。