[发明专利]等离子体沉积装置有效
申请号: | 201611191000.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN107083542B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 许明洙;高锡珍;高东均;金民洙;金圣哲;卢喆来;李秉春 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种等离子体沉积装置,包括:腔室;气体供应部,向腔室供应气体;以及喷头,设置在腔室的内部,与气体供应部连接。其中,气体供应部包括使气体流入的流入管、以及与流入管连接的至少两个流出管。此外,喷头包括:上板,具有与流出管连接的多个注入口;以及下板,与上述上板分离,且具有喷射口。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体沉积装置,其特征在于,包括:腔室;气体供应部,向上述腔室供应气体;喷头,设置在上述腔室的内部,与上述气体供应部连接;以及气体扩散部,上述气体供应部包括:流入管,使上述气体流入;以及至少两个流出管,与上述流入管连接,上述喷头包括:上板,具有与上述流出管连接的多个注入口;以及下板,与上述上板分离,具有喷射口,上述注入口中的一个注入口设置于上述上板的中心,上述注入口中的其余注入口以上述上板的中心为基准对称设置,上述气体扩散部设置在上述上板和上述下板之间,用于使气体扩散。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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