[发明专利]一种氮化镓基发光二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611187790.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106784204B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李政鸿;翁聪;程志青;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/00;B82Y30/00 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基发光二极管结构，依次包括衬底、底层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述P型层由电子阻挡层、至少一层能带变形层和空穴注入层组成，所述能带变形层插入于电子阻挡层之内或位于电子阻挡层与空穴注入层之间或插入于空穴注入层之内或位于空穴注入层之上；所述能带变形层为碳杂质含量不高于5×1016cm‑3的非P型层；所述低碳杂质含量使得能带变形层的能带弯曲，增加能带变形层与相邻层的接触界面上二维空穴气浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管结构，依次包括衬底、底层、N型层、发光层和P型层，其特征在于：所述P型层由电子阻挡层、至少一层能带变形层及空穴注入层组成，所述能带变形层插入于电子阻挡层之内或位于电子阻挡层与空穴注入层之间或插入于空穴注入层之内或位于空穴注入层之上；所述能带变形层为碳杂质含量不高于5×1016cm‑3的非P型层；所述碳杂质含量使得能带变形层的能带弯曲，增加能带变形层与相邻层的接触界面上二维空穴气浓度；所述能带变形层为氮化镓层或为包含铟元素的氮化铟镓层。
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