[发明专利]GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611187762.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106449734A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王斌;苏汉;王禹;胡辉勇;杨佳音;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;苗渊浩;郝敏如 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(d)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(e)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基SPiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | gaas ge 结构 spin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(d)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(e)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的SPiN二极管。
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