[发明专利]三维存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器元件及其制作方法，该三维存储器元件包括：基材、脊状叠层、存储层、通道层以及覆盖层。脊状叠层包括多个导电条带，沿着第一方向堆栈于基材上。存储层沿着第二方向堆栈于脊状叠层的立壁上，其中第一方向与第二方向夹一个非平角。通道层沿着第二方向堆栈于存储层上，且包括一个窄侧壁，具有一个沿着第一方向延伸的长边。覆盖层沿着第三方向堆栈于侧壁上，第三方向与第二方向夹一个非平角。

主权项

1.一种三维存储器元件，包括：一基材；一脊状叠层，包括多个导电条带，沿着一第一方向(Z)堆栈于该基材上；一存储层，沿着一第二方向(Y)堆栈于该脊状叠层的一立壁上，其中该第一方向与该第二方向夹一非平角；一通道层，沿着该第二方向堆栈于该存储层上，且包括一窄侧壁具有沿着该第一方向延伸的一长边；以及一覆盖层，沿着一第三方向(X)堆栈于该窄侧壁上，该第三方向与该第二方向夹一非平角。