[发明专利]应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备

摘要

本发明提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该扇出制程依序包括置晶步骤、量测步骤、灌胶步骤、激光钻孔步骤、电镀步骤及电路曝光显影步骤，该晶粒定位方法包含下列步骤：在灌胶步骤与激光钻孔步骤之间的X射线检查步骤、影像分析步骤及重新定位步骤，于X射线检查步骤执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，于影像分析步骤分析出各个晶粒的实际位置与预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息，于重新定位步骤依据晶粒偏移状态信息而校正激光钻孔资料，于激光钻孔步骤依据经校正后的激光钻孔资料而执行。本发明并提供一种应用在扇出制程的生产设备。

主权项

1.一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的扇出制程依序包括将复数个晶粒放置于基板的预定位置的置晶步骤、披覆绝缘层于所述的复数个晶粒及所述的基板的上表面而与所述的基板形成封装结构的灌胶步骤、以及依据激光钻孔资料而执行激光钻孔的激光钻孔步骤，所述的晶粒定位方法包含下列步骤：X射线检查步骤，在所述的灌胶步骤与所述的激光钻孔步骤之间，由X射线检查机构对所述的封装结构及所述的复数个晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，所述的X射线扫描影像信息包括各个所述的复数个晶粒相对所述的基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个所述的复数个晶粒在相对所述的封装结构中的埋设状态的深度影像信息；影像分析步骤，由影像分析机构根据所述的X射线扫描影像信息而分析出各个所述的复数个晶粒的实际位置与于所述的封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及重新定位步骤，由重新定位机构依据所述的晶粒偏移状态信息而校正所述的激光钻孔资料，其中，所述的激光钻孔步骤由所述的激光钻孔机构依据经校正后的所述的激光钻孔资料而执行。