[发明专利]应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备

说明书

本发明提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该扇出制程依序包括置晶步骤、量测步骤、灌胶步骤、激光钻孔步骤、电镀步骤及电路曝光显影步骤，该晶粒定位方法包含下列步骤：在灌胶步骤与激光钻孔步骤之间的X射线检查步骤、影像分析步骤及重新定位步骤，于X射线检查步骤执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，于影像分析步骤分析出各个晶粒的实际位置与预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息，于重新定位步骤依据晶粒偏移状态信息而校正激光钻孔资料，于激光钻孔步骤依据经校正后的激光钻孔资料而执行。本发明并提供一种应用在扇出制程的生产设备。

技术领域

本发明涉及一种晶粒定位方法及生产设备，特别是涉及一种应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备。

背景技术

在半导体的扇出制程中，通常包括置晶步骤、灌胶步骤、激光钻孔步骤以及电路曝光显影步骤。所谓置晶，指将切割过的复数个晶粒置放于基板的预定位置，以进行后续的加工、封装。灌胶步骤指将绝缘胶披覆于基板及晶粒的上表面而形成绝缘层，以封装固定该些晶粒。待绝缘胶固着后，由激光钻孔设备依据激光钻孔资料(相关于晶粒的预定位置)执行激光钻孔，而形成穿透绝缘层及基板的穿孔。这些垂直基板及绝缘层的穿孔通常位于晶粒的外侧，可供设置导线，以电连接晶粒的接点部及基板。

然而，固着前的胶为流体，因此在灌胶步骤中，胶的流动可能使晶粒偏离预定位置，又或者是固着时来自各方向的应力使晶粒偏离。这种偏离状况不仅是二维的，还可能是三维的。一旦晶粒被封埋于绝缘层中，其偏移的情况将难以被观察到。若根据原有的激光钻孔资料执行激光钻孔，则可能因为晶粒偏离原本的预定位置的关系，而产生激光束误伤晶粒、穿孔形成的位置无法对应晶粒等诸多问题，进而影响到后续的电镀步骤以及电路曝光显影步骤无法顺利执行。如此一来，不仅生产良率大幅下降，也浪费时间及物料成本。

发明内容

因此，为解决上述问题，本发明的目的即在提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备。

本发明为解决现有技术的问题所采用的技术手段提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，其中该扇出制程依序包括将复数个晶粒放置于基板的预定位置的置晶步骤、披覆绝缘层于该复数个晶粒及该基板的上表面而与该基板形成封装结构的灌胶步骤、以及依据激光钻孔资料而执行激光钻孔的激光钻孔步骤，该晶粒定位方法包含下列步骤：X射线检查步骤，在该灌胶步骤与该激光钻孔步骤之间，由X射线检查机构对该封装结构及该复数个晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，该X射线扫描影像信息包括各个该复数个晶粒相对该基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个该复数个晶粒在相对该封装结构中的埋设状态的深度影像信息；影像分析步骤，由影像分析机构根据该X射线扫描影像信息而分析出各个该复数个晶粒的实际位置与于该封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及重新定位步骤，由重新定位机构依据该晶粒偏移状态信息而校正该激光钻孔资料，其中，该激光钻孔步骤由该激光钻孔机构依据经校正后的该激光钻孔资料而执行，再于电路曝光显影步骤依据经校正后的激光钻孔资料而执行。

在本发明的一实施例中提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该影像分析步骤包括：根据该X射线扫描影像信息的各个该复数个晶粒相对该基板的位置的平面影像信息以分析各个该复数个晶粒的实际位置与该预定位置之间的X轴偏移距离、Y轴偏移距离、偏移旋转角度。

在本发明的一实施例中提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该影像分析步骤还包括根据该X射线扫描影像信息以分析该封装结构的翘曲状态。