[发明专利]应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备

权利要求书

1.一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的扇出制程依序包括将复数个晶粒放置于基板的预定位置的置晶步骤、披覆绝缘层于所述的复数个晶粒及所述的基板的上表面而与所述的基板形成封装结构的灌胶步骤、以及依据激光钻孔资料而执行激光钻孔的激光钻孔步骤，所述的晶粒定位方法包含下列步骤：

X射线检查步骤，在所述的灌胶步骤与所述的激光钻孔步骤之间，由X射线检查机构对所述的封装结构及所述的复数个晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，所述的X射线扫描影像信息包括各个所述的复数个晶粒相对所述的基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个所述的复数个晶粒在相对所述的封装结构中的埋设状态的深度影像信息；

影像分析步骤，由影像分析机构根据所述的X射线扫描影像信息而分析出各个所述的复数个晶粒的实际位置与于所述的封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及

重新定位步骤，由重新定位机构依据所述的晶粒偏移状态信息而校正所述的激光钻孔资料，

其中，所述的激光钻孔步骤由所述的激光钻孔机构依据经校正后的所述的激光钻孔资料而执行。

2.根据权利要求1所述的应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的影像分析步骤包括：根据所述的X射线扫描影像信息的各个所述的复数个晶粒相对所述的基板的位置的平面影像信息以分析各个所述的复数个晶粒的实际位置与所述的预定位置之间的X轴偏移距离、Y轴偏移距离、偏移旋转角度。

3.根据权利要求1所述的应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的影像分析步骤还包括根据所述的X射线扫描影像信息以分析所述的封装结构的翘曲状态。

4.根据权利要求1所述的应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，于所述的激光钻孔步骤后，还包括电镀步骤及电路曝光显影步骤。

5.一种应用在扇出制程的生产设备，其特征在于，所述的扇出制程包括形成封装结构以及复数个埋设于所述的封装结构的预定位置的晶粒，并依据所述的预定位置而形成激光钻孔资料以及依据所述的激光钻孔资料而执行激光钻孔，所述的应用在扇出制程的生产设备包含：

X射线检查机构，对所述的封装结构及所述的复数个埋设于所述的封装结构的晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，所述的X射线扫描影像信息包括各个所述的复数个晶粒相对所述的封装结构的基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个所述的复数个晶粒在相对所述的封装结构中的埋设状态的深度影像信息；

影像分析机构，信号连接所述的X射线检查机构，所述的影像分析机构根据所述的X射线扫描影像信息而分析出各个所述的复数个晶粒的实际位置与于所述的封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及

重新定位机构，信号连接所述的影像分析机构，所述的重新定位机构依据所述的晶粒偏移状态信息而校正所述的激光钻孔资料。

6.根据权利要求5所述的应用在扇出制程的生产设备，其特征在于，还包括激光钻孔机构，信号连接所述的重新定位机构，所述的激光钻孔机构依据经校正后的所述的激光钻孔资料而执行激光钻孔。

7.根据权利要求6所述的应用在扇出制程的生产设备，其特征在于，还包括激光曝光机构，信号连接所述的重新定位机构。

8.根据权利要求5所述的应用在扇出制程的生产设备，其特征在于，所述的X射线检查机构为3DX射线检查机构。

9.根据权利要求8所述的应用在扇出制程的生产设备，其特征在于，所述的X射线检查机构包括数字微型反射镜组件。