[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611159432.2 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106972058B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 周文龙 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体及半导体制备技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：衬底、位于所述衬底一侧的缓冲层、位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层，以及位于所述沟道层远离所述缓冲层一侧的势垒层。其中，所述缓冲层包括位于所述衬底一侧且含有掺杂杂质的高阻缓冲层，所述高阻缓冲层包括刻蚀掉富集于所述高阻缓冲层远离所述衬底一侧的掺杂杂质后形成的刻蚀区。在本发明提供的半导体器件，通过对含有掺杂杂质的高阻缓冲层表面进行刻蚀，解决了掺杂杂质在高阻缓冲层一侧的表面生长的非掺杂沟道层中的拖尾效应，抑制了半导体器件特性退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底一侧的缓冲层；/n位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；以及/n位于所述沟道层远离所述缓冲层一侧的势垒层；/n其中，所述缓冲层包括：/n位于所述衬底一侧且含有掺杂杂质的高阻缓冲层，所述高阻缓冲层包括刻蚀掉富集于所述高阻缓冲层远离所述衬底一侧的掺杂杂质后形成的刻蚀区，其中，所述掺杂杂质为Fe。/n
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