[发明专利]一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型鳍式场效应晶体管及其制作方法，本发明的新型鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部两端形成源区和漏区；横跨所述源区和漏区中间的鳍部上表面以及两侧的栅极结构，所述鳍部上表面呈凸齿结构，所述凸齿结构凸起部分为齿部，所述鳍部上表面两齿部之间存在迁移率增强区，所述源区以及漏区在齿部顶端无掺杂，所述栅极结构嵌入所述鳍部的凸齿结构内，本发明可提高晶体管驱动电流，改善晶体管性能。

主权项

1.一种新型鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)提供基底，并在所述基底上形成一半导体凸出结构；/n(2)制作并通过第一掩膜版刻蚀所述半导体凸出结构，形成上表面呈凸齿结构的鳍部，所述凸齿结构凸起部分为齿部；/n(3)在未被第一掩膜版覆盖的鳍部表面沉积与鳍部晶格常数不同迁移率增强区；/n(4)制作第二掩膜版，第二掩膜版覆盖鳍部中间，同时以第一掩膜版以及第二掩膜版为掩膜，向所述鳍部两端掺杂磷或砷n型杂质或p型杂质，形成源区以及漏区，源区和漏区在齿部顶端无掺杂，并去除第二掩膜版以及第一掩膜版；/n(5)制作覆盖源区以及漏区的第三掩膜版，所述第三掩膜版两端开口边缘投影在未被掺杂的中间的鳍部上，通过第三掩膜版形成嵌入所述鳍部的凸齿结构内的栅极结构，并去除第三掩膜版。/n