[发明专利]一种半导体器件的导通孔结构在审
| 申请号： | 201611152903.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106783797A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张文奇;戴风伟;李明;张俊红;高兰雅 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件的导通孔结构，该结构包括半导体基体；导通孔，形成在半导体基体中，导通孔中填充有电镀材料，电镀材料覆盖导通孔的底部，以及导通孔的内表面，电镀材料中间形成有空隙，空隙中填充有有机聚合物；依次形成在半导体器件表面的下金属层和种子层，下金属层和种子层覆盖电镀材料和有机聚合物；微凸点，形成在种子层上方，且与导通孔的位置对应。本发明实施例提供的半导体器件的导通孔结构，避免了半导体通孔结构中出现缝隙以及应力集中的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 导通孔 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的导通孔结构，其特征在于，包括：半导体基体；导通孔，形成在所述半导体基体中，所述导通孔中填充有电镀材料，所述电镀材料覆盖所述导通孔的底部，以及所述导通孔的内表面，所述电镀材料中间形成有空隙，所述空隙中填充有有机聚合物；依次形成在所述半导体器件表面的下金属层和种子层，所述下金属层和所述种子层覆盖所述电镀材料和所述有机聚合物；微凸点，形成在所述种子层上方，且与所述导通孔的位置对应。
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