[发明专利]一种半导体器件的导通孔结构在审
| 申请号： | 201611152903.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106783797A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张文奇;戴风伟;李明;张俊红;高兰雅 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 导通孔 结构 | ||
1.一种半导体器件的导通孔结构，其特征在于，包括：
半导体基体；
导通孔，形成在所述半导体基体中，所述导通孔中填充有电镀材料，所述电镀材料覆盖所述导通孔的底部，以及所述导通孔的内表面，所述电镀材料中间形成有空隙，所述空隙中填充有有机聚合物；
依次形成在所述半导体器件表面的下金属层和种子层，所述下金属层和所述种子层覆盖所述电镀材料和所述有机聚合物；
微凸点，形成在所述种子层上方，且与所述导通孔的位置对应。
2.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述电镀材料为铜。
3.根据权利要求2所述的导通孔结构，其特征在于，所述有机聚合物为通过化学接枝工艺制成。
4.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体的电阻率小于或等于106Ω·cm。
5.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述导通孔的直径小于或等于50μm，所述导通孔的深宽比范围为5:1～20:1。
6.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体为单质半导体或化合物半导体。
7.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体p型半导体或n型半导体。
8.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体的材料为硅。
9.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体的材料为砷化镓。
10.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述导通孔为通孔或盲孔。
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