[发明专利]一种SRAM存储单元及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201611152432.X | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231776B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储单元及其制造方法和电子装置，所述SRAM存储单元包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；形成在所述半导体衬底的所述第一表面上的栅极结构；分别形成在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极由导电沟道连接，所述源极、所述漏极和所述导电沟道具有第二导电类型。本发明的SRAM存储单元使用穿通型MOS器件，该存储单元可以实现反向电流状态，例如高电流为“0”，低电流为“1”，并且根据本发明的存储单元能够获得独立的四个操作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储 单元 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；形成在所述半导体衬底的所述第一表面上的栅极结构；分别形成在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极由导电沟道连接，所述源极、所述漏极和所述导电沟道具有第二导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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