[发明专利]一种SRAM存储单元及其制造方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201611152432.X 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN108231776B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 廖淼 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L21/8244
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 sram 存储 单元 及其 制造 方法 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种SRAM存储单元,其特征在于,包括:

具有第一导电类型的半导体衬底,所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

形成在所述半导体衬底的所述第一表面上的栅极结构;

分别形成在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极,其中,所述源极和所述漏极由导电沟道连接,所述源极、所述漏极和所述导电沟道具有第二导电类型;

在所述源极和所述漏极下方的所述半导体衬底中设置有埋层,所述埋层与所述源极和所述漏极间隔设置,所述埋层与所述半导体衬底的所述第二表面间隔设置,所述埋层具有所述第二导电类型,所述埋层电连接电源电压线;

所述源极电连接源线,所述漏极电连接位线,所述栅极结构电连接字线,所述埋层电连接电源电压。

2.如权利要求1所述的SRAM存储单元,其特征在于,所述导电沟道位于所述栅极结构的下方。

3.如权利要求1所述的SRAM存储单元,其特征在于,在所述埋层上方的所述半导体衬底中还设置有与所述源极和所述漏极隔离的阱区,所述阱区底部与所述埋层连接,所述阱区顶面与所述第一表面齐平,在所述阱区中设置有注入区,所述阱区、所述注入区和所述埋层具有相同的导电类型。

4.如权利要求3所述的SRAM存储单元,其特征在于,在所述半导体衬底中设置有浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述第一表面齐平,所述浅沟槽隔离结构的底部位于所述埋层中,所述阱区由所述浅沟槽隔离结构与所述源极和所述漏极隔离。

5.如权利要求1所述的SRAM存储单元,其特征在于,所述第一导电类型为P型,所述第二导电类型为N型。

6.一种SRAM存储单元的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:

提供具有第一导电类型的半导体衬底,所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

在所述半导体衬底的所述第一表面上形成栅极结构;

进行离子注入,以在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中分别形成源极和漏极,所述源极和所述漏极中的掺杂杂质向所述栅极结构下方的所述半导体衬底中扩散形成导电沟道,所述源极和所述漏极由所述导电沟道连接,所述导电沟道、所述源极和所述漏极具有第二导电类型,在形成所述栅极结构之前,还包括在所述半导体衬底中形成埋层的步骤,之后形成的所述源极和所述漏极位于所述埋层的上方,所述埋层与所述半导体衬底的所述第二表面间隔设置,所述埋层具有所述第二导电类型,所述埋层电连接电源电压线,所述源极电连接源线,所述漏极电连接位线,所述栅极结构电连接字线,所述埋层电连接电源电压。

7.如权利要求6所述的制造方法,其特征在于,还包括在所述埋层上方的所述半导体衬底中形成与所述源极和所述漏极隔离的阱区,以及在所述阱区中形成注入区的步骤,所述阱区底部与所述埋层连接,所述阱区顶面与所述第一表面齐平,所述阱区、所述注入区和所述埋层具有相同的导电类型。

8.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求1至5之一所述的SRAM存储单元。

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