[发明专利]一种SRAM存储单元及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种SRAM存储单元及其制造方法和电子装置，所述SRAM存储单元包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；形成在所述半导体衬底的所述第一表面上的栅极结构；分别形成在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极由导电沟道连接，所述源极、所述漏极和所述导电沟道具有第二导电类型。本发明的SRAM存储单元使用穿通型MOS器件，该存储单元可以实现反向电流状态，例如高电流为“0”，低电流为“1”，并且根据本发明的存储单元能够获得独立的四个操作状态。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种SRAM存储单元及其制造方法和电子装置。

背景技术

随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。

目前主流的高密度SRAM是6T SRAM，其在一个单元中包括六个晶体管，并且通过锁存结构存储“0”或“1”，然而这种SRAM单元有一个很大的缺点，那就是单元面积太大，不利于器件集成度的提高。

因此，有必要提出一种新的SRAM存储单元及其制造方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明一方面提供一种SRAM存储单元，包括：

具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

形成在所述半导体衬底的所述第一表面上的栅极结构；

分别形成在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极由导电沟道连接，所述源极、所述漏极和所述导电沟道具有第二导电类型。

进一步，所述导电沟道位于所述栅极结构的下方。

进一步，在所述源极和所述漏极下方的所述半导体衬底中设置有埋层，所述埋层与所述源极和所述漏极间隔设置，所述埋层与所述半导体衬底的所述第二表面间隔设置，所述埋层具有所述第二导电类型。

进一步，在所述埋层上方的所述半导体衬底中还设置有与所述源极和所述漏极隔离的阱区，所述阱区底部与所述埋层连接，所述阱区顶面与所述第一表面齐平，在所述阱区中设置有注入区，所述阱区、所述注入区和所述埋层具有相同的导电类型。

进一步，在所述半导体衬底中设置有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述第一表面齐平，所述浅沟槽隔离结构的底部位于所述埋层中，所述阱区由所述浅沟槽隔离结构与所述源极和所述漏极隔离。

进一步，所述源极电连接源线，所述漏极电连接位线，所述栅极结构电连接字线，所述埋层电连接电源电压。

进一步，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

本发明另一面提供一种SRAM存储单元的制造方法，所述制造方法包括：

提供具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

在所述半导体衬底的所述第一表面上形成栅极结构；