[发明专利]集成电路及其形成方法在审
| 申请号： | 201611142297.0 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN106876402A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;邓立峰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及包括高k金属栅极(HKMG)非易失性存储器(NVM)器件并且提供小规模和高性能的集成电路(IC)以及形成方法。在一些实施例中，集成电路包括逻辑区域和邻近逻辑区域设置的嵌入式存储区域。逻辑区域具有逻辑器件，逻辑器件设置在衬底上方并且包括设置在第一高k栅极介电层上方的第一金属栅极。存储区域具有非易失性存储器(NVM)器件，该器件包括设置在第二高k栅极介电层上方的第二金属栅极。通过逻辑区域和存储区域两者中都具有HKMG结构，提高了IC性能并且新兴技术节点(如，28nm及以下)中的进一步缩放成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包括：逻辑区域，包括逻辑器件，所述逻辑器件设置在衬底上方并且包括设置在第一高k栅极介电层上方的第一金属栅极；以及嵌入式存储区域，设置为邻近所述逻辑区域并且包括非易失性存储器(NVM)器件，所述非易失性存储器器件包括设置在第二高k栅极介电层上方的第二金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
