[发明专利]薄膜晶体管基底和显示装置

摘要

提供了一种薄膜晶体管基底和显示装置。薄膜晶体管基底包括基底以及在基底上面沿第一方向和第二方向布置的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管包括栅电极、漏电极、源电极和半导体层。漏电极在栅电极上面，并且包括第一漏极倾斜部分以及从第一漏极倾斜部分的端部延伸的第二漏极倾斜部分。源电极在栅电极上面与漏电极分隔开，并且包括第一源极倾斜部分以及从第一源极倾斜部分的端部延伸的第二源极倾斜部分。半导体层与栅电极至少部分地叠置，并且包括连接到漏电极的漏区、连接到源电极的源区以及设置在漏区和源区之间的沟道区。

主权项

一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；以及多个薄膜晶体管，在所述基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括：栅电极，位于所述基底上；漏电极，位于所述栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的方向上延伸，以及第二漏极倾斜部分，在与所述第一方向相反的方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一漏极倾斜部分的端部延伸；源电极，在所述栅电极上面与所述漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上延伸，以及第二源极倾斜部分，在与所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一源极倾斜部分的端部延伸；以及半导体层，与所述栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到所述漏电极，源区，连接到所述源电极，以及沟道区，位于所述漏区和所述源区之间。