[发明专利]薄膜晶体管基底和显示装置

说明书

提供了一种薄膜晶体管基底和显示装置。薄膜晶体管基底包括基底以及在基底上面沿第一方向和第二方向布置的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管包括栅电极、漏电极、源电极和半导体层。漏电极在栅电极上面，并且包括第一漏极倾斜部分以及从第一漏极倾斜部分的端部延伸的第二漏极倾斜部分。源电极在栅电极上面与漏电极分隔开，并且包括第一源极倾斜部分以及从第一源极倾斜部分的端部延伸的第二源极倾斜部分。半导体层与栅电极至少部分地叠置，并且包括连接到漏电极的漏区、连接到源电极的源区以及设置在漏区和源区之间的沟道区。

本申请要求于2015年12月10日提交到韩国专利知识产权局的第10-2015-0176024号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及一种薄膜晶体管基底和一种显示装置。

背景技术

显示装置使用多个像素显示图像。像素包括连接到薄膜晶体管(TFT)的像素电极以及接收共电压的共电极。TFT响应于栅极信号而导通。导通的TFT将接收的数据电压传输到像素电极。通过被施加数据电压的像素电极与被施加共电压的共电极形成电场。液晶层被电场驱动从而显示图像。

用于使从背光输出的光被遮挡而不通过液晶显示装置的TFT照射到外部的遮光层在薄膜晶体管TFT上。开口率(即，照射了光以显示图像的区域与显示装置的总区域的比率)受遮光层的限制。随着显示装置的分辨率的增大，开口率逐渐减小。

发明内容

另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，并且将部分地通过所述描述清楚，或者可通过所提出的实施例的实践而被获知。

根据一个或更多个实施例，薄膜晶体管基底包括基底和多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括栅电极、漏电极、源电极和半导体层，栅电极在基底上，漏电极在栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的方向上延伸；和第二漏极倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从第一漏极倾斜部分的端部延伸，源电极在栅电极上面与漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的所述方向上延伸；和第二源极倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从第一源极倾斜部分的端部延伸，半导体层与栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到漏电极，源区，连接到源电极，以及沟道区，位于漏区和源区之间。

在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极和源电极的平面形状可以是左尖括号“”或右尖括号“”。

在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极的平面形状可以与在第三方向上观察的源电极的平面形状对应。

源电极可以在第一方向上与漏电极分隔开。

漏电极还可以包括在第一方向和第二方向之间的方向上从第二漏极倾斜部分的端部延伸的第三漏极倾斜部分，源电极还可以包括在第一方向和第二方向之间的方向上从第二源极倾斜部分的端部延伸的第三源极倾斜部分。

在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极和源电极的平面形状可以是z字形。

在第一漏极倾斜部分、第二漏极倾斜部分、第一源极倾斜部分和第二源极倾斜部分中的每个倾斜部分可以延伸的方向与第二方向之间的角度可以在大约30°和大约60°之间。