[发明专利]薄膜晶体管基底和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：

基底；

多个薄膜晶体管，在所述基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括：栅电极，位于所述基底上；漏电极，位于所述栅电极上面，并且包括在所述第一方向和所述第二方向之间的方向上延伸的第一漏极倾斜部分以及在与所述第一方向相反的方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一漏极倾斜部分的端部延伸的第二漏极倾斜部分；源电极，在所述栅电极上面与所述漏电极分隔开，并且包括在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上延伸的第一源极倾斜部分以及在与所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之间的所述方向上从所述第一源极倾斜部分的端部延伸的第二源极倾斜部分；以及半导体层，与所述栅电极至少部分地叠置，并且包括连接到所述漏电极的漏区、连接到所述源电极的源区以及位于所述漏区和所述源区之间的沟道区；以及

多条数据线，在所述第二方向上延伸并且所述多条数据线中的每条数据线连接所述多个薄膜晶体管之中的布置在所述第二方向上的薄膜晶体管的所述漏电极，

其中，所述多条数据线中的每条包括多个连接部分，所述多个连接部分中的每个连接部分连接所述多个薄膜晶体管之中的在所述第二方向上相邻的两个薄膜晶体管的漏电极，

其中，所述连接部分中的每个包括：

第一数据倾斜部分，在与所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之间的方向上从所述两个薄膜晶体管中的第一薄膜晶体管的所述第二漏极倾斜部分的端部延伸，以及

第二数据倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一数据倾斜部分的端部延伸到所述两个薄膜晶体管中的第二薄膜晶体管的所述第一漏极倾斜部分的端部，

其中，在所述第二漏极倾斜部分延伸的方向和所述第二方向之间的角度大于或等于在所述第一数据倾斜部分延伸的方向和所述第二方向之间的角度，

在所述第一漏极倾斜部分延伸的方向和所述第二方向之间的角度大于或等于在所述第二数据倾斜部分延伸的方向和所述第二方向之间的角度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观察的所述漏电极和所述源电极的平面形状是左尖括号“”或右尖括号“”。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观察的所述漏电极的平面形状与在所述第三方向上观察的所述源电极的平面形状对应。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基底，其中，所述源电极在所述第一方向上与所述漏电极分隔开。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中：

所述漏电极还包括在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上从所述第二漏极倾斜部分的端部延伸的第三漏极倾斜部分，

所述源电极还包括在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上从所述第二源极倾斜部分的端部延伸的第三源极倾斜部分。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基底，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观察的所述漏电极和所述源电极的平面形状是z字形。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，在所述第一漏极倾斜部分、所述第二漏极倾斜部分、所述第一源极倾斜部分和所述第二源极倾斜部分中的每个倾斜部分延伸的方向与所述第二方向之间的角度在30°和60°之间。