[发明专利]ESD防护结构的制作方法在审
| 申请号： | 201611118068.5 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108172566A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种ESD防护结构的制作方法。该方法包括：在栅极接地的MOS管的漏极区域设置N+区和P+区，漏极区域的N+区和漏极区域的P+区短接，在MOS管的源极区域设置N+区，源极区域的N+区设置在MOS管的P阱区内，漏极区域的N+区和漏极区域的P+区设置在MOS管的N阱区内。本发明实施例通过MOS结构源极的N+区、MOS结构的P阱区，以及MOS结构漏极区的N阱区构成NPN晶体管；MOS结构漏极区的P+区、MOS结构漏极区的N阱区和MOS结构的P阱区构成PNP晶体管，NPN晶体管和PNP晶体管构成NPNP的SCR结构，NPNP的SCR结构相比于NPN三极管的静电泄放效率高。 1 | ||
| 搜索关键词： | 漏极区域 漏极区 源极区域 静电泄放 栅极接地 短接 源极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种ESD防护结构的制作方法，其特征在于，包括：
在栅极接地的MOS管的漏极区域设置N+区和P+区；
所述漏极区域的N+区和所述漏极区域的P+区短接；
在所述MOS管的源极区域设置N+区；
所述源极区域的N+区设置在所述MOS管的P阱区内，所述P阱区设置在所述源极区域内；
所述漏极区域的N+区和所述漏极区域的P+区设置在所述MOS管的N阱区内，所述N阱区设置在所述漏极区域内；
所述MOS管的栅极和源极短接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极区域的N+区、所述P阱区和所述N阱区构成NPN晶体管。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏极区域的P+区、所述N阱区和所述P阱区构成PNP晶体管。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源极区域的N+区、所述P阱区、所述N阱区和所述漏极区域的P+区构成NPNP的SCR结构。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述漏极区域的P+区和所述N阱区之间产生电压差，所述漏极区域的P+区和所述N阱区之间的PN结发生导通。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述P阱区和所述N阱区之间的PN结发生击穿。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述NPN晶体管导通。8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述PNP晶体管导通。9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述漏极区域的N+区接收到静电时，所述NPNP的SCR结构导通。
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