[发明专利]一种铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611112415.3 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106486551A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 邓宏;王艳;韦敏;程慧;汪逸俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，更具体的，涉及一种铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法。本发明通过控制溅射的氩氧比制备两层含氧量不同铟镓锌氧薄膜作为晶体管的两层沟道层，提高开关比，保证沟道层的迁移率，采用三层金属薄膜电极结构以铂作为电极最底层和最顶层分别与沟道层和空气接触，进一步避免电极氧化，电极三层结构的中间层采用铜或银或铝等电导率高的金属，保证了电极的性能。本发明提出的晶体管具备高迁移率、高开关比、金属电极不被氧化、低阈值电压等优异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓锌氧 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镓锌氧薄膜晶体管，其特征在于，由下至上包括栅极、Si衬底、绝缘层、第一层铟镓锌氧沟道层、第二层铟镓锌氧沟道层、第二层铟镓锌氧沟道层上的两个电极；所述两个电极尺寸材料完全相同，电极间的沟道长度为20～100um，电极宽度为50～120um，电极由第一铂薄膜、金属薄膜、第二铂薄膜三层薄膜结构构成，第一铂薄膜厚度为20～30nm，金属薄膜采用金属铜或银或铝，厚度为120～150nm，第二铂薄膜厚度为20～30nm；所述栅极为导电薄膜；所述第一层铟镓锌氧沟道层为氧化铟，氧化镓掺杂氧化锌的铟镓锌氧薄膜，薄膜的原子比In：Ga：Zn：O＝1：1：1：6～7，薄膜厚度为90～140nm；所述第二层铟镓锌氧沟道层为氧化铟，氧化镓掺杂氧化锌的铟镓锌氧薄膜，薄膜的原子比In：Ga：Zn：O＝1：1：1：13～15，薄膜厚度为20～40nm。
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