[发明专利]同轴式差分对硅通孔结构有效
| 申请号： | 201611104001.6 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106449574B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 孟真;刘谋;张兴成;阎跃鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种同轴式差分对硅通孔结构，涉及芯片封装技术领域，其通过设置外层导体屏蔽层，能够将2个分离的内层导体柱内传输的差分信号与周边信号进行完全隔离，从而提高差分信号特别是高速差分信号的传输性能。本发明的同轴式差分对硅通孔结构包括半导体硅基片和贯穿于所述半导体硅基片的硅通孔，其中，所述硅通孔的内壁紧贴有外层绝缘层，所述外层绝缘层内壁紧贴有外层导体屏蔽层，所述外层导体屏蔽层内壁紧贴有内部形成有2个分离的柱状空间的内部绝缘层，所述2个分离的柱状空间内设置有2个相互分离的用于传输1对差分信号的内层导体柱。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 式差分 硅通孔 结构 | ||
【主权项】：
1.一种同轴式差分对硅通孔结构，其特征在于，包括半导体硅基片，其中，在垂直于所述半导体硅基片的表面方向上开设有贯穿于所述半导体硅基片的硅通孔，所述硅通孔的内壁紧贴有外层绝缘层，所述外层绝缘层内壁紧贴有外层导体屏蔽层，所述外层导体屏蔽层内壁紧贴有内部形成有2个分离的柱状空间的内部绝缘层，所述2个分离的柱状空间内设置有2个相互分离的用于传输1对差分信号的内层导体柱；所述硅通孔由相互交叉的2个圆形或者椭圆形硅通孔形成，所述2个圆形或者椭圆形硅通孔的交叉部分的半导体硅基片表面平行面内垂直于过圆心连线方向上的最大开口宽度大于所述外层绝缘层和所述外层导体屏蔽层的厚度之和，且所述2个圆形或者椭圆形硅通孔的交叉部分的半导体硅基片表面平行面内垂直于过圆心连线方向上的最大开口宽度小于所述2个圆形或者椭圆形硅通孔的垂直于过圆心连线方向上的较小的直径。
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