[发明专利]一种抗PID高效PERL电池在审
| 申请号： | 201611097930.9 | 申请日： | 2016-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN108155248A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 周军勇;周喜明;王庆钱 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314206 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗PID高效PERL电池，包括正电极和背电极，铝背场及P型硅衬底；所述的P型硅衬底一面为绒面结构，一面为平滑结构；其中所述绒面结构上依次沉积浓磷(N+)、淡磷(N)分区扩散层，氧化硅层，氮化硅与氧化硅组合减反射膜层,正电极；所述平滑面上依次沉积局部定域扩散P+层，氧化铝层，氮化硅层，背面AL电极；所述的正电极与背电极均通过开通孔与P+层和N+层相连；所述的正电极、背电极及背场均通过丝网印刷形成；所述的通孔均通过激光打孔或光刻形成。本发明的有益效果是：在硅片表面形成良好的抗PID减反射膜，提升开路电压与短路电流，提高光电转换效率，降低组件衰减率。 | ||
| 搜索关键词： | 正电极 背电极 绒面结构 衬底 沉积 电池 光电转换效率 减反射膜层 氧化硅组合 氮化硅层 短路电流 硅片表面 激光打孔 减反射膜 开路电压 平滑结构 丝网印刷 氧化硅层 氧化铝层 氮化硅 扩散层 铝背场 衰减率 平滑 背场 淡磷 光刻 浓磷 通孔 背面 分区 扩散 开通 | ||
【主权项】：
一种抗PID高效PERL电池，包括正电极和背电极，铝背场及P型硅衬底，其特征在于：所述的P型硅衬底一面为绒面结构，一面为平滑结构；所述的正电极与背电极均通过开通孔与P+层和N+层相连；所述的正电极、背电极及背场均通过丝网印刷形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江鸿禧能源股份有限公司，未经浙江鸿禧能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611097930.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
