[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201611091924.2 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106449989B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 马万里;凌旭峰;袁建宇 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。在阴极基底上,室温下采用射频磁控溅射制备氧化铌薄膜形成传输电子的电子传输层;在电子传输层上制备钙钛矿吸光层,再依次制备用于传输空穴的空穴传输层和收集空穴的阳极,得到钙钛矿太阳能电池。本发明在室温条件下制备氧化铌电子传输层的方法,具有工艺简单、可控,制备的氧化铌薄膜均匀性、重复性好的特点,可实现大规模生产;同时,室温条件下利用射频磁控溅射方法制备的氧化铌薄膜作为电子传输层无需高温煅烧,使得整个钙钛矿太阳能电池的生产过程都能在低温下进行(≤100℃),尤其适用于柔性衬底。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钙钛矿太阳能电池,包括基底,阴极(1),电子传输层(2),钙钛矿吸光层(3),空穴传输层(4)和阳极(5),其特征在于:所述电子传输层(2)为氧化铌薄膜,薄膜厚度为30~400纳米;其制备方法包括如下步骤:(1)室温条件下,在阴极基底上,采用射频磁控溅射方法制备氧化铌薄膜,形成传输电子的电子传输层;溅射功率为50~200瓦,溅射压强为2~6毫托,靶材与样品间的距离为10~25厘米,氧化铌薄膜的厚度为30~400纳米;(2)将电子传输层的基底进行紫外臭氧处理5~20分钟;(3)在电子传输层上采用旋涂钙钛矿前驱体溶液,用氯苯诱导结晶的方法制备钙钛矿薄膜,形成钙钛矿吸光层;(4)在钙钛矿吸光层上依次制备用于传输空穴的空穴传输层和收集空穴的阳极,得到钙钛矿太阳能电池。
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