[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201611091707.3 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816400B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 丰田一行;山本哲夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提高对衬底的处理均一性。具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部；气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体；第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气；气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置；盖部，其设置有第二排气口，并且对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气；气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部，气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体，第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气，气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置，盖部，其设置有第二排气口，所述第二排气口对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气，气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对且分割为多个区域的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流，以及控制部，其以如下方式控制所述第二加热部：使与所述第二排气口相对的区域的温度高于其他区域的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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