[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201611091707.3 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816400B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 丰田一行;山本哲夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提高对衬底的处理均一性。具有：衬底支承部，其设置有加热衬底的第一加热部；气体供给部，其设置于所述衬底支承部的上侧，对所述衬底供给处理气体；第一排气口，其对所述衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气；气体分散部，其与所述衬底支承部相对地设置；盖部，其设置有第二排气口，并且对所述气体供给部和所述气体分散部之间的缓冲空间进行排气；气体整流部，其设置于所述缓冲空间内，具有至少一部分与所述第二排气口相对的第二加热部，并且对所述处理气体进行整流。
技术领域
本公开涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
背景技术
作为半导体器件(器件)的制造工序的一个工序，进行对衬底供给处理气体和反应气体，从而在衬底上形成膜的处理工序。
发明内容
发明要解决的问题
然而，有时衬底的温度分布变得不均一，处理均一性降低。
本公开的目的之一在于，提供一种提高衬底的处理均一性的技术。
解决问题的手段
根据一个方式，提供一种技术，其包括：设置有加热衬底的第一加热部的衬底支承部；设置于衬底支承部的上侧、向衬底供给处理气体的气体供给部；对衬底支承部上的处理空间的气氛进行排气的第一排气口；以与衬底支承部相对的方式设置的气体分散部；盖部，其设置有对气体供给部和气体分散部之间的缓冲空间进行排气的第二排气口；气体整流部，其设置在缓冲空间内，并且具有至少一部分与第二排气口相对的第二加热部，并对处理气体进行整流；和控制第二加热部的控制部。
发明效果
根据本公开涉及的技术，能够至少提高衬底的处理均一性。
附图说明
图1为一实施方式涉及的衬底处理装置的构成简图。
图2为一实施方式涉及的第二加热部的构成简图。
图3为示出一实施方式涉及的第二加热部的温度测定部和电力供给控制部的连接关系的图。
图4为一实施方式中适合使用的衬底处理装置的气体供给系统的构成简图。
图5为一实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的构成简图。
图6为一实施方式中适合使用的第一表图。
图7为一实施方式中适合使用的第二表图。
图8为一实施方式中适合使用的第三表图。
图9为示出一实施方式涉及的衬底处理工序的流程图。
图10为一实施方式涉及的向簇射头供给的气体供给顺序图。
附图标记说明
100 衬底处理装置
200 晶片(衬底)
201 处理室
202 处理容器
211 载置面
212 衬底载置台
215 外周面
232 缓冲空间
234 簇射头
234 分散板
234b 分散孔
241 第一气体导入口
具体实施方式
＜第一实施方式＞
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
