[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201611085215.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017339A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 尚-皮耶·柯林基;卡罗斯·H·戴尔兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构的形成方法，其包括基板及储存单元结构于基板之上，此外，储存单元结构包含第一电极层于基板之上，及一变电阻材料层于第一电极层之上。储存单元结构更包含第二电极层于变电阻材料层之上。此外，变电阻材料层包含半金属及半金属合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括:一基板；以及一储存单元结构，形成于该基板之上，其中该储存单元结构包括：一第一电极层，形成于该基板之上；一变电阻材料层，形成于该第一电极层之上；以及一第二电极层，形成于该变电阻材料层之上；其中该变电阻材料层包括一半金属或一半金属合金。
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