[发明专利]测试结构及其形成方法、测试方法

摘要

一种测试结构及其形成方法、测试方法，测试结构包括：栅极结构两侧的阱区内分别形成有第一外延源漏掺杂区以及第二外延源漏掺杂区，且阱区、第一外延源漏掺杂区以及第二外延源漏掺杂区的掺杂类型相同；位于所述栅极结构露出的阱区、第一外延源漏掺杂区以及第二外延源漏掺杂区上的介质层；贯穿介质层且与第一外延源漏掺杂区电连接的第一接触插塞；贯穿介质层且与阱区电连接的第二接触插塞；贯穿所述介质层且与所述第二外延源漏掺杂区电连接的第三接触插塞，且第三接触插塞与第二接触插塞分别位于所述第一接触插塞相对的两侧。本发明提高了测试获得的接触电阻的可靠性和准确性。

主权项

一种测试结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底内的阱区，所述阱区上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的阱区内分别形成有第一外延源漏掺杂区以及第二外延源漏掺杂区，所述第一外延源漏掺杂区与第二外延源漏掺杂区分别位于所述栅极结构相对两侧，且所述阱区、第一外延源漏掺杂区以及第二外延源漏掺杂区的掺杂类型相同；位于所述栅极结构露出的阱区、第一外延源漏掺杂区以及第二外延源漏掺杂区上的介质层；贯穿所述介质层且与所述第一外延源漏掺杂区电连接的第一接触插塞，所述第一接触插塞包括位于所述第一外延源漏掺杂区上的金属接触层以及位于所述金属接触层上的导电插塞；贯穿所述介质层且与所述阱区电连接的第二接触插塞；贯穿所述介质层且与所述第二外延源漏掺杂区电连接的第三接触插塞，且所述第三接触插塞与第二接触插塞分别位于所述第一接触插塞相对的两侧。