[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201611075649.5 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122927B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 袁波;刘玉成;高胜;徐琳 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板及显示装置，所述薄膜晶体管包括依次位于衬底之上的有机层、阻挡层、缓冲层、沟道区、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源极、漏极，还包括形成于所述阻挡层与所述缓冲层之间或者位于所述阻挡层内的保护层，所述保护层在朝向所述沟道区方向上的投影覆盖所述沟道区，所述保护层用于分散薄膜晶体管部分材料在弯曲过程中受到的应力，避免薄膜晶体管器件在弯曲过程中可能会造成的沟道或接触孔的断裂，提高薄膜晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括依次位于衬底上的有机层、阻挡层、缓冲层、沟道区、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源极、漏极，其特征在于，还包括：位于所述阻挡层与所述缓冲层之间或者位于所述阻挡层内的保护层，所述保护层在朝向所述沟道区方向上的投影覆盖所述沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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