[发明专利]一种光电探测器

摘要

本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。

主权项

一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(6)、重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(5)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；所述重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(5)和重掺杂P型Ge层(6)构成一个平面结构(11)，所述本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(10)；所述台面结构(10)位于所述平面结构(11)上侧；所述的重掺杂P型Ge层(6)下表面设有第一金属阳极接触(7)，在重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(8)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(9)；所述的台面结构(10)上表面、侧壁和平面结构(11)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。