[发明专利]一种光电探测器有效
| 申请号： | 201611075272.3 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106531822B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张有润;钟晓康;刘影;李明晔;刘凯;胡刚毅;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/11 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 | ||
1.一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(6)、重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(5)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；
所述重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(5)和重掺杂P型Ge层(6)构成一个平面结构(11)，所述本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(10)；所述台面结构(10)位于所述平面结构(11)上侧；
所述的重掺杂P型Ge层(6)下表面设有第一金属阳极接触(7)，在重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(8)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(9)；
所述的台面结构(10)上表面、侧壁和平面结构(11)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。
2.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述第一金属阳极接触(7)、金属阴极接触(8)和第二金属阳极接触(9)的材料为Al。
3.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述钝化层(1)的材料为SiO2。
4.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Si层(2)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
5.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Si层(3)的掺杂浓度达到1013cm-3数量级。
6.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
7.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Ge层(5)的掺杂浓度比重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度低至少4个数量级。
8.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Ge层(6)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
