[发明专利]集成电路的标准单元布局结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611074881.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107017228B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 范妮婉;曾祥仁;黄正仪;袁立本;卢麒友;杨荣展;江庭玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种在BEOL互连层和中段制程(MEOL)结构之间具有平行导电路径的集成电路(IC)，这些导电路径被配置为减小寄生电阻和/或电容。IC包括布置在衬底内并且由沟道区隔开的源极/漏极区。栅极结构布置在沟道区上方，并且MEOL结构布置在源极/漏极区的一个的上方。导电结构布置在MEOL结构上方并且与MEOL结构电接触。第一导电接触件布置在MEOL结构和上覆的BEOL互连线(例如，电源轨)之间。第二导电接触件被配置为沿着延伸穿过导电结构的导电路径来电连接BEOL互连线和MEOL结构，从而在BEOL互连层和MEOL结构之间形成平行的导电路径。本公开的实施例还涉及一种形成集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 标准 单元 布局 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，布置在半导体衬底内并且由沟道区隔开；栅极结构，设置在所述沟道区上方；第一中段制程(MEOL)结构，布置在所述第二源极/漏极区上方；导电结构，设置在所述第一中段制程结构上并且与所述第一中段制程结构电接触；第一导电接触件，垂直布置在所述第一中段制程结构和后段制程(BEOL)互连线之间并且所述第一导电接触件与所述第一中段制程结构的上表面以及所述后段制程互连线的下表面直接接触；以及第二导电接触件，被配置为沿着延伸穿过所述导电结构的导电路径而电连接所述后段制程互连线和所述第一中段制程结构。
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