[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201611071426.1 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106784013A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;李禹奉;宁策;孙雪菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 刘伟,胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅电极和/或源漏电极，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。本发明实施例中，在Cu布线层上表面和/或下表面设置Cu阻挡层，以防止Cu布线层的Cu向上和/或向下扩散。且，采用Cu阻挡层采用的材料具有导电性能，不影响Cu布线层的正常工作，另外，该些类型的材料接触附着力较好，能够增加Cu布线层与其他膜层之间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅电极和/或源漏电极，其特征在于，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。
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