[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201611071426.1 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106784013A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;李禹奉;宁策;孙雪菲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 刘伟,胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅电极和/或源漏电极，其特征在于，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物包括：TiO和ZnO。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氮化物包括：TiN和ZnN。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氮氧化物包括：TiON、TiNO、ZnON和ZnNO。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述Cu阻挡层的厚度为50-1000A。
6.一种阵列基板，包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅金属层和/或源漏金属层，其特征在于，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物包括：TiO和ZnO。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氮化物包括：TiN和ZnN。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氮氧化物包括：TiON、TiNO、ZnON和ZnNO。
10.一种显示装置，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611071426.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
