[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

在显示技术领域里，随着大尺寸及高驱动频率产品的日益普及，低电阻的Cu(铜)配线技术已经愈来愈受到关注，各个面板厂商纷纷进行了Cu技术开发，以提升产能和良率，例如采用Cu制作阵列基板中的栅电极、栅线、源电极和漏电极以及数据线等。然而，Cu布线层存在和玻璃基板以及有源层的接触附着力差的问题，同时，Cu在一定的条件下如一定的温度下，会向上或向下扩散，例如，当采用Cu制作栅电极时，Cu有可能会扩展到栅极绝缘层(GI)，甚至有源层，从而严重影响器件特性。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，以解决现有的Cu布线层接触附着力差及易扩散的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜晶体管，包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅电极和/或源漏电极，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。

优选地，所述金属氧化物包括：TiO和ZnO。

优选地，所述金属氮化物包括：TiN和ZnN。

优选地，所述金属氮氧化物包括：TiON、TiNO、ZnON和ZnNO。

优选地，所述Cu阻挡层的厚度为50-1000A。

本发明还提供一种阵列基板，包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅金属层和/或源漏金属层，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。

优选地，所述金属氧化物包括：TiO和ZnO。

优选地，所述金属氮化物包括：TiN和ZnN。

优选地，所述金属氮氧化物包括：TiON、TiNO、ZnON和ZnNO。

优选地，所述Cu阻挡层的厚度为50-1000A。

本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

本发明实施例中，在Cu布线层上表面和/或下表面设置Cu阻挡层，以防止Cu布线层的Cu向上和/或向下扩散。且，采用Cu阻挡层采用的材料具有导电性能，不影响Cu布线层的正常工作，另外，该些类型的材料接触附着力较好，能够增加Cu布线层与其他膜层之间的附着力。

附图说明

图1为本发明一实施例的阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

为解决现有的薄膜晶体管中的Cu布线层接触附着力差及易扩散的问题，本发明实施例提供一种薄膜晶体管，包括Cu布线层，所述Cu布线层包括栅电极和/或源漏电极，其中，所述Cu布线层的至少一表面设置有Cu阻挡层，所述Cu阻挡层采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种形成。

所述Cu布线层采用Cu金属或Cu合金制作而成。

金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物具有导电性，且接触附着力较好。

本发明实施例中，在Cu布线层上表面(是指远离薄膜晶体管的衬底基板的一个表面)和/或下表面(是指靠近薄膜晶体管的衬底基板的一个表面)设置Cu阻挡层，以防止Cu布线层的Cu向上和/或向下扩散。

且，采用金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的任意一种或多种材料形成，该些类型的材料具有导电性能，不影响Cu布线层的正常工作，另外，该些类型的材料接触附着力较好，能够增加Cu布线层与薄膜晶体管的其他膜层之间的附着力。