[发明专利]用于形成PN结的方法以及相关联的半导体器件

摘要

本发明的实施例涉及用于形成PN结的方法以及相关联的半导体器件。一种方法可用于制作半导体器件。多个突起区域形成在具有第一导电类型的第一半导体层上方。第一半导体层位于覆盖半导体衬底的绝缘层上。突起区域相互隔开。将突起区域用作注入掩模，具有第二导电类型的掺杂剂被注入第一半导体层中，以形成PN结的序列，PN结的序列在第一半导体层中形成二极管。二极管从第一半导体层的上表面垂直地延伸到绝缘层。

主权项

一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：在具有第一导电类型的第一半导体层上方形成多个突起区域，其中所述第一半导体层位于覆盖半导体衬底的绝缘层上，所述突起区域相互隔开；以及将所述突起区域用作注入掩模，向所述第一半导体层中执行具有第二导电类型的掺杂剂的第一注入，以形成PN结的序列，所述PN结的序列在所述第一半导体层中形成二极管，所述二极管从所述第一半导体层的上表面垂直地延伸到所述绝缘层。