[发明专利]一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611051510.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106601795B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 贵州芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法。本发明制造出的沟槽式场效应晶体管包括衬底、n‑外延层、p型体区、n+有源区、沟槽以及沟槽内的多晶硅栅极和栅氧化层，所述沟槽内还包含绝缘介质层，所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧分割成分别靠近两侧p型体区的两部分，并且所述多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧对应的沟槽底部与n‑外延层之间形成p型掺杂区。本发明有效减小栅‑漏寄生电容，提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽式场效应晶体管，包括衬底，形成在所述衬底表面的n‑外延层，形成在所述n‑外延层表面的p型体区，所述p型体区顶部设有n+有源区，沟槽延伸通过所述n+有源区与p型体区直到所述n‑外延层，所述沟槽内有多晶硅栅极和栅氧化层，所述栅氧化层形成在沟槽表面，其特征在于：所述沟槽内还包含绝缘介质层，所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧分割成分别靠近两侧p型体区的两部分，并且所述多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧对应的沟槽底部与n‑外延层之间形成p型掺杂区，所述多晶硅栅极靠近沟槽底部的一侧的投影在p型掺杂区内；所述绝缘介质层的介电常数小于栅氧化层；所述绝缘介质层顶部到沟槽底部的距离大于n+有源区底部到沟槽底部的距离。
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